Photoluminescence from Si₁-xGex alloy nanocrystals

Takeoka, Shinji; Toshikiyo, Kimiaki; Fujii, Minoru; Hayashi, Shinji; Yamamoto, Keiichi

https://hdl.handle.net/20.500.14094/90000086

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メタデータID	90000086
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出版タイプ	Version of Record
タイトル	Photoluminescence from Si₁-xGex alloy nanocrystals
著者	Takeoka, Shinji ; Toshikiyo, Kimiaki ; Fujii, Minoru ; Hayashi, Shinji ; Yamamoto, Keiichi
著者名 Takeoka, Shinji
著者名 Toshikiyo, Kimiaki
著者ID A1198 研究者ID 1000000273798 KUID https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=c329d986b41188dd520e17560c007669 著者名 Fujii, Minoru 藤井, 稔フジイ, ミノル所属機関名工学研究科
著者名 Hayashi, Shinji
著者名 Yamamoto, Keiichi
言語	English (英語)
収録物名	Physical Review B
巻(号)	61(23)
ページ	15988-15992
出版者	American Physical Society (APS)
刊行日	2000-06
公開日	2006-11-21
抄録	Photoluminescence (PL) from Si₁−𝑥⁢Ge𝑥 alloy nanocrystals (nc−Si₁−𝑥⁢Ge𝑥) as small as 4–5 nm in diameter was studied as a function of the Ge content. The nc−Si₁−𝑥⁢Ge𝑥 samples were fabricated by the cosputtering of Si, Ge, and SiO₂ and postannealing at 1100°C. High-resolution transmission electron microscopy, electron diffraction, and Raman spectroscopy clearly showed the growth of spherical Si₁−𝑥⁢Ge𝑥 nanocrystals in SiO₂ matrices. The PL spectra of nc−Si₁−𝑥⁢Ge𝑥 were found to be very sensitive to the Ge content. A low-energy shift of the PL peak from the widened band gap of Si nanocrystals to that of Ge nanocrystals with increasing Ge content was clearly observed.
カテゴリ	工学研究科
カテゴリ	学術雑誌論文
関連情報	DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.15988
関連情報	URI http://prb.aps.org/

資源タイプ	journal article
ISSN	1098-0121　OPACで所蔵を検索　 CiNiiで学外所蔵を検索

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