Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires

https://hdl.handle.net/20.500.14094/90001668

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
90001668 (fulltext)	pdf	2.32 MB	33

メタデータID	90001668
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
タイトル	Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires
著者	Yamada, Yoshihiro ; Tsuchiya, Hideaki ; Ogawa, Matsuto
著者名 Yamada, Yoshihiro 山田, 吉宏ヤマダ, ヨシヒロ
著者ID A0911 研究者ID 1000080252790 著者名 Tsuchiya, Hideaki 土屋, 英昭ツチヤ, ヒデアキ所属機関名工学研究科
著者名 Ogawa, Matsuto 小川, 真人オガワ, マツト
言語	English (英語)
収録物名	Journal of Applied Physics
巻(号)	111(6)
ページ	063720-063720
出版者	American Institute of Physics(AIP)
刊行日	2012-03-15
公開日	2012-04-19
カテゴリ	工学研究科
カテゴリ	学術雑誌論文
関連情報	DOI https://doi.org/10.1063/1.3695999
関連情報	URI http://jap.aip.org/