神戸大学附属図書館デジタルアーカイブ
https://hdl.handle.net/20.500.14094/90003347

このアイテムのアクセス数:357件（2026-10-24 17:29 集計）

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット サイズ 閲覧回数 説明
90003347 (fulltext) pdf 1.59 MB 139

メタデータ

ファイル出力

メタデータID
90003347
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
タイトル
Effects of rapid thermal annealing on two-dimensional delocalized electronic states of the epitaxial N δ-doped layer in GaAs
著者
Ogawa, Yasuhiro ; Harada, Yukihiro ; Baba, Takeshi ; Kaizu, Toshiyuki ; Kita, Takashi
著者名
Ogawa, Yasuhiro
著者ID
A0963
研究者ID
1000010554355
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=c641b750fb455c8a520e17560c007669
著者名
Harada, Yukihiro
原田, 幸弘
ハラダ, ユキヒロ
所属機関名
工学研究科
著者名
Baba, Takeshi
著者ID
A0308
研究者ID
1000000425571
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=57e69451bf6c7707520e17560c007669
著者名
Kaizu, Toshiyuki
海津, 利行
カイヅ, トシユキ
所属機関名
研究基盤センター
著者ID
A0491
研究者ID
1000010221186
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=7853123c7c766d89520e17560c007669
著者名
Kita, Takashi
喜多, 隆
キタ, タカシ
所属機関名
工学研究科
言語
English (英語)
収録物名
Applied Physics Letters
巻(号)
108(11)
ページ
111905-111905
出版者
AIP Publishing
刊行日
2016-03-14
公開日
2017-04-01
カテゴリ
研究基盤センター
工学研究科
学術雑誌論文
権利
©2016 AIP Publishing. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. The following article appeared in Applied Physics Letters 108(11), 111905 and may be found at http://dx.doi.org/10.1063/1.4944055
関連情報
DOI
https://doi.org/10.1063/1.4944055