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https://hdl.handle.net/20.500.14094/90009619
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2025-06-18
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90009619 (fulltext)
pdf
2.24 MB
38
メタデータ
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メタデータID
90009619
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
タイトル
Enhancement of the contrast for a hexagonal boron nitride monolayer placed on a silicon nitride/silicon substrate
著者
Hattori, Yoshiaki ; Taniguchi, Takashi ; Watanabe, Kenji ; Kitamura, Masatoshi
著者ID
A2258
研究者ID
1000090736654
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=b9487d8e029552e4520e17560c007669
著者名
Hattori, Yoshiaki
服部, 吉晃
ハットリ, ヨシアキ
所属機関名
工学研究科
著者ID
A1694
研究者ID
1000060422391
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=ef93ec6dd4fc1b69520e17560c007669
著者名
Taniguchi, Takashi
谷口, 隆
タニグチ, タカシ
所属機関名
理学研究科
著者名
Watanabe, Kenji
著者ID
A0125
研究者ID
1000010345142
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=323dcdd3ee9beeca520e17560c007669
著者名
Kitamura, Masatoshi
北村, 雅季
キタムラ, マサトシ
所属機関名
工学研究科
言語
English (英語)
収録物名
Applied Physics Express
巻(号)
15(8)
ページ
086502
出版者
The Japan Society of Applied Physics
IOP Publishing
刊行日
2022-08-01
公開日
2022-08-10
抄録
We propose a visualization technique for identifying an exfoliated monolayer hexagonal boron nitride (hBN) flake placed on a SiNx/Si substrate. The use of a Si substrate with a 63 nm thick SiNx film enhanced the contrast of monolayer hBN at wavelengths of 480 and 530 nm by up to 12% and −12%, respectively. The maximum contrast for the Si substrate with SiNx is more than four times as large as that for a Si substrate with a ∼90 or ∼300 nm SiO2 film. Based on the results of the reflectance spectrum measurement and numerical calculations, the enhancement is discussed.
キーワード
h-BN
2D materials
insulating film
optical interferometry
カテゴリ
工学研究科
理学研究科
学術雑誌論文
権利
© 2022 The Author(s). Published on behalf of The Japan Society of Applied Physics by IOP Publishing Ltd.
Content from this work may be used under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 license. Any further distribution of this work must maintain attribution to the author(s) and the title of the work, journal citation and DOI.
関連情報
DOI
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac8270
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資源タイプ
journal article
ISSN
1882-0778
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eISSN
1882-0786
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NCID
AA12295133
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